Snapdragon 835 și-a filtrat caracteristicile: 8 nuclee și 10 nm finfet

Qualcomm dorește să înceapă anul cu multă autoritate pe piața suculentă a smartphone-urilor și nu există o modalitate mai bună de a face acest lucru decât să anunțe care va fi noul său procesor de vârf. Qualcomm Snapdragon 835 va aduce la viață o nouă generație de dispozitive mai capabile ca niciodată datorită celor opt nuclee de înaltă performanță și eficienței procesului de 10 nm FinFET.

Snapdragon 835 va fi anunțat săptămâna viitoare la CES 2017, noul procesor este construit cu procesul avansat de a doua generație 10nm FinFET, pentru a face un salt major în eficiența energetică. Datorită acestui lucru, procesorul va consuma cu 20% mai puțin decât Snapdragon 820, în ciuda faptului că este clar superior cu includerea unui număr de opt nuclee Kryo 280 care sunt împărțite în două clustere quad-core la 2, 45 GHz și 1, 90 GHz.

Vă recomandăm ghidul nostru pentru cele mai bune smartphone-uri mici și medii.

În secțiunea grafică găsim GPU Adreno 540 pentru a oferi performanțe deosebite în jocurile video și compatibilitatea cu cele mai recente API-uri precum DirectX 12 și Vulkan. Continuăm cu un Hexagon 690 DSP care permite redarea conținutului la rezoluție 4K și 60 FPS. Informațiile scurse sunt completate cu conexiunea 4G LTE Cat.16 cu o viteză maximă de descărcare de 1.000 Mbps.

Sursa: videocardz