Samsung începe producția noilor sale amintiri emram

Samsung Electronics a anunțat astăzi că a început producția în serie a noilor sale memorii eMRAM folosind un proces de fabricație de 28 nanometri (FD-SOI).

Amintirile eMRAM de la Samsung promit să revoluționeze industria

Memoria MRAM este în dezvoltare de mulți ani și este o RAM magnetică non-volatilă, ceea ce înseamnă că nu pierde date atunci când nu are putere, așa cum se întâmplă în cazul RAM-ului normal.

Soluția eMRAM bazată pe 28FDS de la Samsung oferă avantaje fără precedent de putere și viteză la un cost mai mic. Deoarece eMRAM nu necesită un ciclu clar înainte de a scrie date, viteza de scriere a acestuia este de aproximativ o mie de ori mai rapidă decât eFlash. În plus, eMRAM utilizează tensiuni mai mici decât memoriile Flash și nu consumă energie electrică în modul oprit, ceea ce duce la o eficiență energetică ridicată.

Avantajele față de memoriile care sunt utilizate în zilele noastre ca memoria RAM și Flash sunt revoluționare, cu latențe de 1ns, viteză mai mare și rezistență mai mare. Memoriile eMRAM au fost concepute pentru a înlocui memoriile RAM și Flash NAND actuale, deși pentru asta va trebui să așteptăm un pic.

Se spune că primele module create de Samsung vor avea o capacitate foarte limitată. Compania coreeană nu a dorit să ofere prea multe detalii despre modulele pe care le fabrică, însă intenția este să înceapă testarea unui modul de 1 GB înainte de sfârșitul anului 2019. Ulterior, Samsung intenționează să realizeze eMRAM folosind procesul său 18FDS, precum și nodurile bazat pe FinFET-uri mai avansate.

Aceasta poate fi nașterea unei noi ere atunci când vine vorba de stocarea computerului. Vom urmări evoluția sa.

TechpowerupAnandtech Font