Samsung anunță exynos 9, primul cip realizat la 10 nm

Samsung a făcut prezentarea oficială a noului său cip Exynos 9 Series 8895, care va fi prezent în noile telefoane Samsung Galaxy S8. Anunțul acestui nou procesor marchează o etapă tehnologică, deoarece este primul semiconductor de 10 nanometri care a ajuns pe piață în următoarele luni.

Exynos 9 este cel mai puternic procesor creat vreodată de Samsung

Exynos 9 Series 8895 este un procesor conceput exclusiv pentru telefoanele mobile și are un nou proces de fabricație FINFET de 10 nm și structura tranzistorului 3D, cel mai avansat din lume până acum. Acest nou proces de fabricație îmbunătățește performanța cu 27% și reduce consumul de energie cu 40% în comparație cu modelul anterior de 14 nm. Avansul în ceea ce privește consumul de energie va fi foarte vizibil pentru a îmbunătăți autonomia următoarelor telefoane Samsung, mult mai important decât îmbunătățirea vitezei.

Exynos 9 este un procesor cu opt nuclee, patru dintre acestea cu performanțe ridicate la 2, 5 GHz și patru nuclee Cortex-A53 cu putere mică, cu o viteză de 1, 7 GHz. 550 MHz și un controler de memorie cu suport LPDDR4.

De asemenea, este inclus noul modem Cat 16 LTE, care permite rate de transfer online de date de până la 1 gigabit și o unitate de procesare capabilă să înregistreze conținut 4K la 120 de cadre pe secundă.

Exynos 9 se află în prezent în procesul de fabricație în masă și va fi utilizat în următorul Samsung Galaxy S8 împreună cu Snapdragon 835, care este, de asemenea, fabricat în 10 nanometri. Samsung va folosi unul sau alt cip în funcție de regiune pentru noul Samsung Galaxy S8, care este așteptat în aprilie.