Rambus vorbește despre caracteristicile memoriei ddr5

În urmă cu câteva zile am primit primele detalii ale noii tehnologii de memorie stivuite de înaltă performanță HBM3, acum vă oferim detaliile noului DDR5 care va ajunge în următorii ani pentru noile generații de procesoare.

DDR5 va atinge 4800 MHz la 1.2V

RAMBUS a lansat primele caracteristici ale viitoarei memorii DDR5 care se află deja într-un stadiu destul de avansat al dezvoltării sale, aceste noi memorii vor ajunge cu o frecvență de bază de aproximativ 4800 MHz, astfel încât vor fi un impuls bun în comparație cu DDR4 actual, Putem spune că cel mai lent DDR5 va fi la fel de rapid ca cel mai rapid din DDR4 aproximativ.

Odată cu trecerea anilor, aceste noi DDR5 vor câștiga în beneficii așa cum se întâmplă cu toate generațiile, plafonul său ar putea fi aproape de 6400 MHz, ceea ce se traduce într-o lățime de bandă maximă de 51, 2 GB / s, dublați 25, 6 GB / s obținute cu tehnologia DDR4 actuală.

Pentru a face toate acestea posibile, s-a făcut un angajament puternic pentru îmbunătățirea eficienței energetice, DDR5 va putea atinge 4800 MHz cu o tensiune de doar 1, 2 V, o îmbunătățire importantă comparativ cu 1, 5V pe care DDR4-ul curent trebuie să o atingă 4600 MHz. În cele din urmă subliniem că capacitatea maximă a fiecărui modul va crește la 128 GB, astfel încât să putem vedea configurații de 512 GB folosind doar patru module.

Primele amintiri DDR5 vor ajunge pe tot parcursul anului 2019 cu un proces de fabricație la 10 nm, apoi vor migra spre cele mai eficiente 7 nm.

Fontul Techpowerup