Micron vorbește despre ruperea inteligenței cu privire la nand

Micron a vorbit despre motivul care a stat la baza despărțirii cu Intel în ceea ce privește colaborarea în dezvoltarea memoriei NAND. În ianuarie trecut, Intel și Micron au anunțat că unirea lor în dezvoltarea memoriei NAND se apropie de final și ambele companii intenționează să continue să evolueze în mod independent tehnologia NAND.

Micron va paria pe tehnologia Charge-Trap pentru fabricarea cipurilor NAND

Motivul care a stat la baza acestei defalcări nu a fost cunoscut până acum, deși totul indica faptul că Intel și Micron doresc să-și ia tehnologia NAND în direcții separate. Micron și Intel folosesc tehnologia Floral Gate NAND, o tehnică de producție pe care o promovează ca fiind superioară modelului Charge-Trap, folosită de aproape toți ceilalți producători precum Samsung, SK Hynix, Western Digital și Toshiba. Privind cu nerăbdare spre a patra generație, Micron intenționează să treacă la Charge-Trap, lăsând Intel ca unic susținător al tehnologiei Floating Gate.

Vă recomandăm să citiți postarea noastră pe cele mai bune SSD-uri ale momentului SATA, M.2 NVMe și PCIe (2018)

Până acum, Micron era sceptic în ceea ce privește longevitatea memoriei NAND 3D Charg-Trap, speculând că datele ar putea fi pierdute după șase luni fără putere. Așadar, Micron nu a crezut că NAND-ul dezvoltat cu Charge-Trap poate fi utilizat ca mediu de stocare non-volatil pe termen lung. În prezent, majoritatea producătorilor utilizează Charge-Trap fără semne de probleme de pierdere a datelor, astfel încât Micron a decis să îmbrățișeze această tehnologie pe care până acum a respins-o.

În ciuda acestei ruperi, cele două companii continuă să lucreze împreună la dezvoltarea memoriei XPoint, cu planuri de a continua dezvoltarea tehnologiei ca mediu de stocare non-volatil și ca o alternativă la DRAM în anumite aplicații.

Font overclock3d