Memoria mram a lui Intel este pregătită pentru producția în masă

Un raport EETimes arată MRAM-ul Intel (Magnetoresistive Random-Access Memory) gata pentru producția de producție cu volum mare. MRAM este o tehnologie de memorie non-volatilă, ceea ce înseamnă că poate reține informații chiar dacă există o pierdere de putere, aceasta seamănă mai mult cu un dispozitiv de stocare decât RAM standard.

MRAM promite să înlocuiască memoriile DRAM și NAND Flash

Memoria MRAM este dezvoltată pentru a înlocui în viitor memoria DRAM (RAM) și stocarea memoriei flash NAND.

MRAM promite să fie mult mai ușor de fabricat și să ofere rate de performanță superioare. Faptul că s-a dovedit că MRAM poate atinge timpi de răspuns de 1 ns, mai bine decât limitele teoretice acceptate în prezent pentru DRAM și viteze de scriere mult mai mari (de până la mii de ori mai rapid) în comparație cu tehnologia flash NAND, sunt motivele pentru care acest tip de memorie este atât de important.

Poate păstra informația până la 10 ani și rezistă la 200 de grade de temperatură

Cu caracteristicile actuale, MRAM permite păstrarea datelor de 10 ani la 125 de grade Celsius și un grad ridicat de rezistență. În plus față de rezistența ridicată, tehnologia MRAM integrată de 22 nm a fost raportată să aibă o rată de biți peste 99, 9%, o caracteristică uimitoare pentru o tehnologie relativ nouă.

Nu se știe exact de ce Intel folosește un proces de 22nm pentru fabricarea acestor memorii, dar putem intui că nu este să satureze producția la 14nm, care este cea folosită de procesoarele sale de procesor. Nici nu au comentat cât timp va trebui să așteptăm până când vom vedea această memorie în acțiune pentru piața de calculatoare.

Fontul Techpowerup