Kioxia arată un posibil succesor al nand '' twin bics flash ''

Kioxia, cunoscută anterior ca Toshiba Memory, a creat un succesor al memoriei flash 3D NAND, care oferă o densitate mai mare de stocare în comparație cu blițul NAND QLC.

Kioxia proiectează tehnologia Twin BiCS Flash, densitatea de memorie NAND

Această nouă tehnologie, care a fost anunțată joi, permite cipurilor de memorie să aibă celule mai mici și mai mult spațiu de stocare pe celulă, ceea ce poate crește semnificativ densitatea memoriei pe celulă.

Kioxia a anunțat prima „ structură de celule de memorie flash semicirculare semicirculare din lume”, numită Twin BiCS Flash. Acest lucru diferă de celălalt produs Kioxia, BiCS5 Flash. BiCS5 Flash folosește celule de încărcare circulară, în timp ce Twin BiCS Flash folosește celule poartă plutitoare semi-circulare. Noua structură extinde fereastra de programare a celulei, deși celulele sunt mai mici fizic în comparație cu tehnologia CT.

Flash BiCS Twin este în prezent cea mai bună opțiune pentru a avea succes cu tehnologia NLC QLC, deși viitoarea implementare a acestui cip este încă necunoscută. Acest nou cip mărește semnificativ stocarea memoriei flash, ceea ce a reprezentat o mare problemă pentru producători, deși în prezent există trei școli de gândire despre cum să rezolve acest lucru.

Una dintre opțiuni este creșterea numărului de straturi. Producătorii au aprobat recent chips-uri NAND cu 96 de straturi și au obținut cipuri NAND de 128 straturi. Un alt mod de a crește densitatea tehnologiei flash NAND este de a reduce dimensiunea celulelor, permițând plasarea mai multor celule într-un singur strat.

Accesați ghidul nostru despre cele mai bune unități SSD de pe piață

Ultima modalitate de creștere a densității memoriei NAND este de a îmbunătăți bitul total pe celulă, care este cel mai utilizat de producători. Această metodă ne-a permis să obținem SLC, MLC, TLC, iar cea mai recentă este QLC NAND, care crește numărul de biți pe celulă cu unul comparativ cu tehnologia anterioară.

Această tehnologie mai nouă, Twin BiCS Flash, este încă în faza de cercetare și dezvoltare și este la mulți ani distanță de a fi implementată. Deși cipurile flash NAND de 128 de straturi BiCS5 sunt prevăzute pentru a ajunge pe piață în 2020, producătorii SK Hynix și Samsung au reușit să depășească 100 de straturi la începutul anului 2019, cu cipuri ND 4D cu 128 de straturi și V-NAND v6.

Font Wccftech